
IT之家 2 月 28 日消息,国家格监格持国家发改委价格监测中心发文称 ,发改2025 年 9 月至今,测中储芯功能小程序开发受需求“爆发式”增长 、心存续上向下产能“断崖式”紧缺等因素影响,涨并全球存储器市场缺口扩大 ,游传存储芯片价格持续上涨,国家格监格持近 1 个月多以来,发改涨幅呈现扩大态势,测中储芯建议关注存储芯片对下游价格的心存续上向下影响。调研反映 ,涨并功能小程序开发截至今年 1 月 ,游传存储芯片两大主要产品 DRAM 和 NAND 闪存价格均创 2016 年有数据以来最高 。国家格监格持
IT之家从数据中获悉,发改以主流型号为例,测中储芯1 月 DARM(DDR4 8Gb 1G*8)合约平均价格为 11.5 美元